据行业研究机构TrendForce消息，存储巨头海力士已完成375层NAND的设计验证，量产计划于2026年底启动，公司将转换现有产能进行投产。这一进展将一个酝酿多年的产业拐点推到了台前：在芯片中使用了近25年的金属钨，正开始被钼所取代。
值得一提的是，在存储芯片的金属布线中首个引入钼的是三星，而非海力士。三星早在其286层第九代NAND中就已采用钼，该产品于2024年4月量产。海力士此番是自家产品线上首次使用钼，在行业坐标中属于追赶者。
这款375层产品本身也经历了一段调整。据TheElec报道，海力士内部原本对标400层级，但因高层堆叠制造复杂度极高，最终下调至375层。即便如此，它仍是海力士NAND路线图中的关键一跃，其更远的480层与604层产品预计将更彻底地依赖钼。
钼替代钨的趋势并不仅限于存储领域，但确实带来了一场行业级的拐点。钨作为互连金属在NAND、DRAM及逻辑芯片的中段工艺中已沿用了近四分之一个世纪，但持续微缩的要求正在突破钨的物理边界，钼成为最被看好的替代候选。
钼的优势不止于低电阻。与钨和铜不同，钼无需额外的阻挡层来防止扩散，这简化了工序并提升了良率；其高熔点与抗氧化特性支持直接沉积工艺，更适配3D NAND以及逻辑芯片端的GAA（全环绕栅极）等高深宽比结构。换言之，存储层数越往上堆叠、制程节点越往下走，钨越显吃力，钼的渗透空间就越大。
在这一材料替代浪潮中，最直接、最确定的受益者并非存储制造商本身，而是上游的“卖铲人”——提供制造工具和关键材料的公司。
Lam Research：唯一已量产ALD钼工具的供应商
设备商Lam Research（LRCX）是这条产业链中最具代表性的公司。其于2025年2月推出的ALTUS Halo，被公司称为业界首款将钼用于量产的原子层沉积（ALD）工具，据称在多数情况下可将电阻较传统的钨金属化改善超过50%。Lam披露，早期采用已在韩国与新加坡的高产能3D NAND工厂以及先进逻辑工厂展开——韩国对应三星与海力士，新加坡则对应美光。
生意弹性藏在工序的复杂化里。据Zacks研究，Lam是目前唯一一家已有ALD钼工具投入量产的供应商，服务于代工厂与NAND客户。钼的沉积过程虽然更慢、更复杂，却能让Lam在这些先进制程节点上的“单晶圆金属沉积可服务市场”扩大至三倍。工序变难，对设备商而言反而是增量机会。
Entegris：关键耗材供应商
材料端的代表是Entegris（ENTG）。该公司供应钼的固态前驱体材料——二氯二氧化钼（MoO₂Cl₂），专为DRAM与3D NAND工艺定制，并配套ProE-Vap输送系统。其受益逻辑在于材料切换带来的连锁效应。据Entegris分析，从铜和钨转向钼这一项变化，将波及前驱体选择、抛光垫设计、研磨液配方、刻蚀材料与过滤等多个环节，工艺步骤更分散，但贯穿多个制造工序。
应用材料：聚焦逻辑芯片路径
另一设备巨头应用材料（AMAT）则走了不同的技术路径。今年2月，它推出了Spectral ALD系统，旨在用钼取代当今晶体管接触中的钨，在晶体管与铜布线网络之间的关键连接处降低电阻，目前已被多家领先的逻辑代工厂采用。需要区分的是，Lam的钼故事侧重于NAND/DRAM的字线应用，而AMAT的钼故事则偏向2nm GAA逻辑芯片的接触孔，两者下游应用不同。
存储制造商：性能受益者而非估值核心驱动
至于存储厂本身，三星与海力士均不在美股主板上市。美股中唯一的纯正存储标的是美光（MU），且在采用钼方面已抢占身位。Lam援引美光NAND开发副总裁的说法，称钼金属化让美光在最新一代NAND产品上率先实现了业界领先的I/O带宽与存储容量。然而，美光是“用钼的人”而非“卖钼受益的人”，其股价驱动主要仍是存储行业周期和HBM（高带宽内存）需求，钼材料更多是性能上的加分项。
钼矿商：半导体需求仅是零头
理论上，钼金属矿商也算这条产业链的边缘受益者，美股可对应以钼作为铜矿副产品的Freeport-McMoRan（FCX）。但半导体行业的钼用量级实在太小。据TheElec及行业估算，三星去年采购约4吨钼，今年约10吨，海力士起步约4吨，全行业到2030年预计也仅80吨级别。相对于以钢铁合金为主、年消耗量达数十万吨的全球钼市场，半导体需求仅是零头。将矿商股价挂钩到NAND的叙事上，缺乏足够的因果支撑。
这也圈定了“钨退钼进”故事的真正落点：海力士375层NAND只是一个起点，真正的射程横跨NAND、DRAM与逻辑芯片三大品类。在这场金属材料换代中，卖工具（如Lam Research）和卖耗材（如Entegris）的环节确定性更高；使用钼的存储厂是性能受益方，而非估值重构的核心；金属矿商则基本沾不上光。
（本文不构成任何投资建议）